7 月 26 日消息，隨著集成電路工藝向 7nm 及以下節點不斷推進，13.5 nm 波長的 EUV 光刻成為實現先進芯片制造的核心技術。但 EUV 光源反射損耗大、亮度低等特點，對光刻膠在吸收效率、反應機制和缺陷控制等方面提出了更高挑戰。清華大學宣布，該?；瘜W系許華平教授團隊在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進展 —— 開發出一種基于聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新型光刻膠，為先進半導體制造中的關鍵材料提供了新的設計策略。該研究提供了一種融合高吸收元素 Te、主鏈斷裂機制與材料均一性的光刻膠設計路徑，有望推動下一代 EUV 光刻材料的發展，助力先進半導體工藝技術革新。（it 之家）
36氪
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